罗姆:坚持做深受客户信赖的功率元器件制造商
随着社会对环保和能源效率的关注加剧,氮化镓 (GaN)半导体技术正在成为领先科技的焦点。作为一种第三代半导体材料,氮化镓具有禁带宽度更宽、高耐压、热导率、电子饱和速度更高的特点,能够满足现代电子技术对半导体材料提出的高温、高功率、高压、高频要求。与碳化硅相比,氮化镓在高耐压和大工作电流方面具有优势。 据悉,罗姆今后的计划将以功率半导体和模拟半导体为主,氮化镓属于功率半导体,应用领域扩展到车载OBC、数据中心的电源、分布式电源等应用。罗姆半导体服务有限公司技术中心总经理水原德健介绍,氮化镓和碳化硅一样,是功率器件中有巨大潜力的材料。Si一般采用MOSFET结构,碳化硅也是用MOSFET结构,而氮化镓是用的HEMT结构。氮化镓HEMT是一种晶体管元件结构,与SiMOSFET相比,氮化镓HEMT可以显著降低开关损耗,降幅多达55%。罗姆既有功率半导体技术,又有模拟电源技术,其中代表性的就是NanoPulseControlTM,一种超高速脉冲控制技术,可以更大程度激发氮化镓器件性能。 据介绍,目前市场上普遍为氮化镓HEMT的6V产品,如加电路设计不仅增加成本,也会导致氮化镓器件的可靠性下降,影响了应用的普及。据介绍,罗姆从器件角度出发进行了改进,通过将普通氮化镓HEMT的6V额定VGS增加到8V,将过冲电压的电压裕度从1V扩大到3V,实现了可靠的高速开关,更大程度地优化了电源电路的效率。另外,通过采用具有出色散热性能的通用型封装,使器件安装变得更加容易。 为了客户更好更方便地应用氮化镓,罗姆推出了将栅极驱动用驱动器和氮化镓HEMT一体化封装的PowerStageIC,650VEco-GaNTM(GaNHEMT)PowerStageIC有三个特点:通过将IC用作PowerStage电路,可轻松安装氮化镓器件;可轻松替换现有功率半导体电路;损耗低于普通产品,有助于应用产品的小型化。实现更高的开关频率,把开关速度做得越来越快,驱动的特性越来越好,高压做得越来越低的导通电阻。 水原德健称,今后罗姆也不止步在这里,会一直应用power和Nano先进的IC技术,一起融合在一起,把产品做得越来越好。接下来会继续开发低压的MOSFET,把导通电阻做得越来越低,把开关速度做得越来越快,驱动的特性越来越好,高压做得越来越低的导通电阻,包括市场上新的封装做得越来越多,包括powerstage做得越来越广,罗姆今后会把整个方案做得越来越全。 罗姆的优势在于多样化的产品阵容以及集版图设计、服务支持和规划于一体的解决方案,未来,罗姆将持续加深对客户系统的了解,坚持做深受客户信赖的功率元器件制造商。 罗姆CTO立石哲夫表示,罗姆致力于通过电子技术解决各种社会课题,而EcoGaN正是通过努力更大程度地发挥氮化镓的性能,助力应用产品实现进一步节能和小型化的产品。未来,罗姆将持续加深对客户系统的了解,坚持做深受客户信赖的功率元器件制造商,持之以恒地为人们丰富多彩的生活和社会的发展与进步提供支持。 (瑾 瑜)
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